Paano Palawakin ang IGBT Driver Current?

Ang power semiconductor driver circuit ay isang mahalagang subcategory ng mga integrated circuit, makapangyarihan, na ginagamit para sa IGBT driver IC bilang karagdagan sa pagbibigay ng antas ng drive at kasalukuyang, kadalasang may mga function ng proteksyon sa drive, kabilang ang desaturation short circuit protection, undervoltage shutdown, Miller clamp, two-stage shutdown , soft shutdown, SRC (slew rate control), atbp. Ang mga produkto ay mayroon ding iba't ibang antas ng pagganap ng pagkakabukod.Gayunpaman, bilang isang integrated circuit, tinutukoy ng package nito ang maximum na pagkonsumo ng kuryente, ang kasalukuyang output ng driver ng IC ay maaaring higit sa 10A sa ilang mga kaso, ngunit hindi pa rin matugunan ang mga pangangailangan sa pagmamaneho ng mataas na kasalukuyang mga module ng IGBT, tatalakayin ng papel na ito ang pagmamaneho ng IGBT kasalukuyan at kasalukuyang pagpapalawak.

Paano palawakin ang kasalukuyang driver

Kapag ang kasalukuyang drive ay kailangang dagdagan, o kapag nagmamaneho ng mga IGBT na may mataas na kasalukuyang at malaking kapasidad ng gate, kinakailangan upang palawakin ang kasalukuyang para sa driver IC.

Paggamit ng bipolar transistor

Ang pinakakaraniwang disenyo ng IGBT gate driver ay upang mapagtanto ang kasalukuyang pagpapalawak sa pamamagitan ng paggamit ng pantulong na tagasunod ng emitter.Ang output kasalukuyang ng emitter follower transistor ay tinutukoy ng DC gain ng transistor hFE o β at ang base kasalukuyang IB, kapag ang kasalukuyang kinakailangan upang himukin ang IGBT ay mas malaki kaysa sa IB*β, pagkatapos ay ang transistor ay papasok sa linear working area at ang output hindi sapat ang kasalukuyang drive, kung gayon ang bilis ng pag-charge at pagdiskarga ng IGBT capacitor ay magiging mas mabagal at ang mga pagkalugi ng IGBT ay tataas.

Gamit ang mga MOSFET

Ang mga MOSFET ay maaari ding gamitin para sa kasalukuyang pagpapalawak ng driver, ang circuit ay karaniwang binubuo ng PMOS + NMOS, ngunit ang antas ng lohika ng istraktura ng circuit ay ang kabaligtaran ng transistor push-pull.Ang disenyo ng itaas na tubo na pinagmumulan ng PMOS ay konektado sa positibong supply ng kuryente, ang gate ay mas mababa kaysa sa pinagmumulan ng isang ibinigay na boltahe na PMOS, at ang driver IC output ay karaniwang mataas na antas ng pag-on, kaya ang paggamit ng istraktura ng PMOS + NMOS maaaring mangailangan ng inverter sa disenyo.

Sa mga bipolar transistor o MOSFET?

(1) Mga pagkakaiba sa kahusayan, kadalasan sa mga application na may mataas na kapangyarihan, ang dalas ng paglipat ay hindi masyadong mataas, kaya ang pagkawala ng pagpapadaloy ay ang pangunahing, kapag ang transistor ay may kalamangan.Maraming kasalukuyang high power density na disenyo, tulad ng mga de-koryenteng sasakyan na motor drive, kung saan mahirap ang pagwawaldas ng init at mataas ang temperatura sa loob ng nakapaloob na case, kapag ang kahusayan ay napakahalaga at ang mga transistor circuit ay maaaring mapili.

(2) Ang output ng bipolar transistor solution ay may pagbaba ng boltahe na dulot ng VCE(sat), ang supply boltahe ay kailangang dagdagan upang mabayaran ang drive tube na VCE(sat) upang makamit ang drive voltage na 15V, habang ang MOSFET solution halos maaaring makamit ang isang rail-to-rail output.

(3) MOSFET makatiis boltahe, VGS lamang tungkol sa 20V, na maaaring isang problema na nangangailangan ng pansin kapag gumagamit ng positibo at negatibong power supply.

(4) Ang mga MOSFET ay may negatibong koepisyent ng temperatura na Rds(on), habang ang mga bipolar transistor ay may positibong koepisyent ng temperatura, at ang mga MOSFET ay may problema sa thermal runaway kapag konektado nang magkatulad.

(5) Kung nagmamaneho ng mga Si/SiC MOSFET, ang bilis ng paglipat ng mga bipolar transistor ay kadalasang mas mabagal kaysa sa mga MOSFET na bagay sa pagmamaneho, na dapat isaalang-alang na gumamit ng mga MOSFET upang palawigin ang kasalukuyang.

(6) Ang katatagan ng input stage sa ESD at surge boltahe, bipolar transistor PN junction ay may malaking kalamangan kumpara sa MOS gate oxide.

Ang mga bipolar transistors at MOSFET na katangian ay hindi pareho, kung ano ang gagamitin o kailangan mong magpasya para sa iyong sarili alinsunod sa mga kinakailangan sa disenyo ng system.

Mabilis na mga katotohanan tungkol sa NeoDen

① Itinatag noong 2010, 200+ empleyado, 8000+ Sq.m.pabrika.

② Mga produkto ng NeoDen: Smart series PNP machine, NeoDen K1830, NeoDen4, NeoDen3V, NeoDen7, NeoDen6, TM220A, TM240A, TM245P, reflow oven IN6, IN12, Solder paste printer FP2636, PM30400.

③ Matagumpay na 10000+ na customer sa buong mundo.

④ 30+ Global Ahente na sakop sa Asia, Europe, America, Oceania at Africa.

⑤ R&D Center: 3 R&D department na may 25+ propesyonal na R&D engineer.

⑥ Nakalista sa CE at nakakuha ng 50+ patent.

⑦ 30+ quality control at technical support engineer, 15+ senior international sales, napapanahong pagtugon ng customer sa loob ng 8 oras, mga propesyonal na solusyon na nagbibigay sa loob ng 24 na oras.